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Advanced Materials: 氟化钙—用于二维电子器件的超薄高k电介质材料
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机械剥离的二维(2D)六方氮化硼(h-BN)是目前纳米电子器件中首选的介电材料,可与石墨烯和二维过渡金属硫化物等二维材料形成平整的范德华界面。然而,由于六方氮化硼具有较低的介电常数(≈3.9),在以六方氮化硼为电介质的超大规模器件中会出现高漏电流和过早的介电击穿现象。另外,可扩展方法(例如化学气相沉积)合成六方氮化硼的过程中需要非常高的温度(> 900°C),并且制得的六方氮化硼包含大量的原子级尺寸的非晶区,从而降低了其均质性和介电强度。
图文解析
总结与展望
课题组简介:
Mario Lanza教授课题组的主要研究领域为先进纳米薄膜材料制备、表征和应用,主要研究二维材料基忆阻型器件在非易失性存储和神经态计算等领域中的应用。同时,Lanza教授与忆阻器研究领域很多其他教授及研究机构保持密切合作。相关研究成果发表于Nature electronics、Nature Communications、Advanced Materials等顶级期刊和IEDM、IRPS、IPFA等领域内顶级国际学术会议上。
论文链接:
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202002525
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